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半自動|MPI 8英寸高壓探針臺

簡要描述:高壓探針臺通過TS2000-DP,MPI提供了一個多功能且經濟高效的探針臺,半自動|MPI 8英寸高壓探針臺適用于20°C至300°C溫度范圍內的晶圓上高功率器件測量,測量能力高達3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。

  • 產品型號:TS2000-DP
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2022-08-10
  • 訪  問  量:114

詳細介紹

半自動|MPI 8英寸高壓探針臺


 

半自動|MPI 8英寸高壓探針臺

 


 

探針卡和微型定位器

TS2000-DP可提供最高12倍的高壓(最高3 kV三軸或10 kV同軸)或4倍的多手指高電流,最高400 A MicroPositioners。許多單探頭,專用于防電弧高功率探頭卡的探頭卡座使該系統成為高功率設備特性測量的理想選擇。

 

防電弧技術

該系統配有ArcShield™,可防止卡盤和探針壓板之間發生任何可能的電弧。

防電弧探針卡具有在DUT周圍施加高壓的能力,并且可以使用帕申定律來防止焊盤之間產生電弧。專門設計的防電弧LiquidTray™只需將其放在高功率卡盤表面即可用于抑制電弧。晶圓可以安全地放置在托盤內,以浸沒在液體中進行無電弧高壓測試。MPI卡盤設計用于300°C時最高10 kV(同軸)。

儀器集成

TS2000-DP可以配置各種儀器連接套件,其中包括必要的高壓/大電流探頭和電纜附件,以優化連接至測試儀器,例如Keysight B15005(3 kV或10 kV),包括集成的模塊選擇器或吉時利2600-PCT-XB,包括集成的8020大功率接口面板。

 

 

設備簡介:

通過TS2000-DP,MPI提供了一個多功能且經濟高效的探針臺,適用于20°C至300°C溫度范圍內的晶圓上高功率器件測量,測量能力高達3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。

 

 

機臺特征:


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